半導體先進技術
新工藝
【一次傳質】工藝采用多孔石墨筒的新式坩堝設計，將源料置于坩堝壁與多孔石墨筒之間，同時加深整個坩堝以及增加坩堝直徑，裝料量增加的同時，增加了源料的蒸發(fā)面積。該工藝解決了由于源料表面隨著生長的進行，源料上部重結晶，影響升華的物質通量，所產生晶體缺陷的問題。新工藝降低了源料區(qū)溫度分布對晶體生長的敏感度，傳質效率提高且穩(wěn)定，生長后期降低碳包裹物的影響?！疽淮蝹髻|】可以采用不粘籽晶的無籽晶托固定方式，自由熱膨脹，利于應力釋放?！疽淮蝹髻|】工藝優(yōu)化了熱場，極大地提高了擴徑的效率。
注：【新工藝】是指【一次傳質】工藝
軸徑分離技術
【軸徑分離】技術應用于電阻式長晶爐徹底解決軸徑方向上的溫度耦合現(xiàn)象。調整軸向溫度梯度，提升晶體生長速度，徑向溫度梯度也隨之發(fā)生改變，從而導致晶體生長界面的凹凸變化、應力增加，使得晶體缺陷增加。
電阻式長晶爐通過不同區(qū)域的電阻發(fā)熱，達到籽晶區(qū)域和源料區(qū)域的溫度分別控制，達到軸向溫度梯度與徑向溫度梯度分離，從而穩(wěn)定晶體生長面型的同時能夠大幅度提高晶體生長速度。
溫度閉環(huán)控制
該技術解決了在>2000°C以上高溫的環(huán)境下對溫度進行精確的測量及控制。當高溫時，通常的熱電偶易損壞且會產生偏差，需要采用紅外測溫。但在高溫環(huán)境下，設備的內部件及加工的材料產生的揮發(fā)物，容易造成紅外測溫數(shù)據(jù)失真，產生較大的測量數(shù)據(jù)波動與偏差。碳化硅晶體生長時，揮發(fā)的碳化硅等蒸氣會污染紅外的測溫通道，使紅外測溫無法在整個晶體生長周期保證準確，所以行業(yè)上通常都是采用功率控制，溫度檢測只為輔助參考。
本技術采用內外空間分離的測溫方式，實現(xiàn)在極高溫度環(huán)境下對溫度的精準測量和控制，從而實現(xiàn)晶體生長全周期采用溫度閉環(huán)控制，提高產品的良率及生產穩(wěn)定性。
高精度壓力控制
長晶壓力的穩(wěn)定性是影響晶體生長的可控核心關鍵參數(shù)之一。壓力會影響SiC粉升華過程中的氣相組分、氣流均勻性以及晶體生長的速度。壓力的波動會引發(fā)SiC晶體的宏觀和微觀缺陷的產生，特別是高失重率，低壓生長場景。
壓力控制越精確，生長的晶體缺陷越少?，F(xiàn)有技術的壓力波動一般控制在±3Pa。公司研發(fā)的壓力傳感器和控制閥門及配套的自適應算法，可將壓力穩(wěn)定控制在±0.3Pa（設定壓力在100-500Pa間）。
雙線圈技術
該技術解決了在晶體生長過程中，傳統(tǒng)的單線圈感應加熱不能對上下溫區(qū)進行單獨控制，容易造成溫度梯度分布不均，影響晶體生長的質量和速度。雙線圈技術通過對兩個線圈單獨控制，可以實現(xiàn)對源料區(qū)和籽晶區(qū)的溫度單獨控制。更好地控制晶體生長時的軸向溫度梯度，加快晶體生長速率。當籽晶生長結束后，也可以通過籽晶區(qū)的線圈單獨對生長結束的晶體進行退火處理，減小晶體內部的應力，提高晶體質量。
半軸徑分離技術
半軸徑分離技術是在坩堝上方增加一個熱門，通過旋轉隔熱屏，實現(xiàn)散熱面積的變化，能有效調節(jié)溫度梯度。
在晶體生長中，隨著生長界面下移，通過增加熱屏開度使散熱通量增加，在不需線圈運動情況下，使溫度梯度保持在晶體生長所需范圍內，且對徑向溫度梯度有一定影響，當晶體生長結束降溫過程中，隔熱屏關閉至最小開度，大大降低散熱面積，使生長結束的晶體在較小的溫度梯度，提升SIC晶體的質量。
自動化技術
取代人工搬運物料，信息智能交互，實現(xiàn)數(shù)字智能化工廠
- 自動完成進料及出料；
- 料車自動平整定位，對地面平整度沒有要求；
- AGV+料車組合模式；
- 有紋理導航、激光導航小車選擇。
注：即將推出