感應(yīng)爐 SICG6-M07

型號(hào)對(duì)比

感應(yīng)爐 SICG6-M07

水冷夾套式金屬腔體SiC長(zhǎng)晶爐，線(xiàn)圈與熱場(chǎng)沒(méi)有間隔，發(fā)熱效率高且改變熱場(chǎng)靈活。采用固定線(xiàn)圈，坩堝移動(dòng)的方式來(lái)達(dá)成工藝的穩(wěn)定執(zhí)行。在滿(mǎn)足了長(zhǎng)晶需求的同時(shí)，更低的制造成本，使其在長(zhǎng)晶效果和設(shè)備成本上達(dá)到一個(gè)較高的性?xún)r(jià)比。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

6英寸與8英寸可調(diào)

采用可置換線(xiàn)圈設(shè)計(jì)，爐殼同時(shí)滿(mǎn)足6英寸及8英寸設(shè)計(jì)，可以在生產(chǎn)發(fā)展中實(shí)現(xiàn)設(shè)備的技術(shù)提升

下?tīng)t蓋托盤(pán)升降

可有效降低溫度衰減率
校準(zhǔn)操作簡(jiǎn)單、便捷

先進(jìn)技術(shù)

軸徑分離技術(shù)

注：?jiǎn)我粻t型不一定涉及全部技術(shù)，僅供參考，詳情歡迎致電恒普

【軸徑分離】技術(shù)應(yīng)用于電阻式長(zhǎng)晶爐徹底解決軸徑方向上的溫度耦合現(xiàn)象。調(diào)整軸向溫度梯度，提升晶體生長(zhǎng)速度，徑向溫度梯度也隨之發(fā)生改變，從而導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)界面的凹凸變化、應(yīng)力增加，使得晶體缺陷增加。電阻式長(zhǎng)晶爐通過(guò)不同區(qū)域的電阻發(fā)熱，達(dá)到籽晶區(qū)域和源料區(qū)域的溫度分別控制，達(dá)到軸向溫度梯度與徑向溫度梯度分離，從而穩(wěn)定晶體生長(zhǎng)面型的同時(shí)能夠大幅度提高晶體生長(zhǎng)速度。

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