感應(yīng)爐 SICG8-SL07D

產(chǎn)品介紹

技術(shù)參數(shù)

型號(hào)對(duì)比

感應(yīng)爐 SICG8-SL07D

在碳化硅8英寸時(shí)代到來(lái)之際，隨著坩堝的直徑增長(zhǎng)，感應(yīng)線圈只能加熱坩堝的表面，不同位置的徑向溫度梯度都會(huì)隨之增大，而這樣的參數(shù)變化不適合大直徑的晶體生長(zhǎng)。為了對(duì)應(yīng)行業(yè)客戶的使用慣性及Know-How的延續(xù)，恒普科技解決了雙線圈對(duì)石墨坩堝的溫度上下無(wú)法分離，做到了【準(zhǔn)軸徑分離】，并將技術(shù)同時(shí)使用在了兩種爐型上，滿足更多客戶的使用習(xí)慣。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

石英管雙線圈感應(yīng)晶體生長(zhǎng)爐

坩堝區(qū)域溫度分離
方便原工藝過(guò)渡
水平螺旋線圈，提高磁場(chǎng)平衡與雙線圈匹配

金屬殼雙線圈感應(yīng)晶體生長(zhǎng)爐

爐下放下出料，解決8英寸坩堝上取料的不便
出料時(shí)，坩堝與熱場(chǎng)自動(dòng)分離，提高爐次的重復(fù)性
獨(dú)特的二次發(fā)熱體
優(yōu)化內(nèi)置線圈絕緣
橫向多點(diǎn)測(cè)溫
提高爐采用特殊定制石墨硬氈

先進(jìn)技術(shù)

軸徑分離技術(shù)

注：?jiǎn)我粻t型不一定涉及全部技術(shù)，僅供參考，詳情歡迎致電恒普

【軸徑分離】技術(shù)應(yīng)用于電阻式長(zhǎng)晶爐徹底解決軸徑方向上的溫度耦合現(xiàn)象。調(diào)整軸向溫度梯度，提升晶體生長(zhǎng)速度，徑向溫度梯度也隨之發(fā)生改變，從而導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)界面的凹凸變化、應(yīng)力增加，使得晶體缺陷增加。電阻式長(zhǎng)晶爐通過(guò)不同區(qū)域的電阻發(fā)熱，達(dá)到籽晶區(qū)域和源料區(qū)域的溫度分別控制，達(dá)到軸向溫度梯度與徑向溫度梯度分離，從而穩(wěn)定晶體生長(zhǎng)面型的同時(shí)能夠大幅度提高晶體生長(zhǎng)速度。

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